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利用禁用模式的放大器实现视频多路复用设计

归档日期:04-26       文本归类:反向复用      文章编辑:爱尚语录

  过去几年,连接到单一显示器的视频源数量逐渐增加,使得视频信号切换成为大多数视频系统的必备功能。例如,在典型的家庭娱乐系统中,有线或卫星电视所用的机顶盒 (STB) 或数字录像机 (DVR)、VCR、DVD播放器、视频游戏机和PC等全都连接到一台显示器。多个视频源切换到单一显示器的功能也扩展到汽车,其中的视频源包括车载娱乐系统 (VES)、后视摄像头、DVD播放机、导航系统和辅助视频输入。

  传统的CMOS多路复用器和开关在视频频率条件下使用时,存在若干不足之处,其导通电阻会引入失真,降低差分增益和相位性能,并且与端接电阻相互影响,使传入的视频信号衰减,影响亮度。系统设计人员通过增加外部缓冲来提高增益和驱动能力,从而解决这一问题。

  使用具有禁用模式的高速视频放大器可以简化视频多路复用设计。当放大器禁用时,其输出级进入高阻抗状态。这与省电模式不同,后者虽然可以显著降低功耗,但会使输出级处于不明确状态。

  高速视频放大器具有所需的全部关键特性,非常适合此项功能。其高输入阻抗不会影响传输线路的特征阻抗,因而可进行反向端接。由于是视频放大器,因此本身具有良好的视频特性,包括差分增益和相位、压摆率、带宽以及0.1 dB平坦度。

  在多路复用配置中,禁用的通道相对于活动通道表现为高阻抗负载。增益设置和反馈电阻对活动放大器构成负载,但其值远大于150-ohm 视频负载,因此其影响可忽略不计。拥有这些关键特性的一些高速视频放大器包括AD8013、AD8029和AD8063。表1列出了具有代表性的可多路复用视频放大器。

  ADA4853-3具有独立禁用控制功能,适合用作低成本3:1缓冲输出视频多路复用器。其输出阻抗在10 MHz时大于2 kohms,因此可连接放大器输出以形成一个具有出色开关行为和隔离特性的3:1多路复用器。采用5 V单电源供电时,图1所示的配置可在10 MHz时提供14 MHz带宽 (0.1 dB)、+2的增益及58 dB通道关断隔离。通道间切换时间为10 -s,支持CVBS模拟视频应用。

  图2显示了一个高性能2:1多路复用器。两个输入放大器配置为单位增益跟随器,而输出放大器的增益设为+2。两级均可以关断,因此这种多路复用器可以实现出色的输入至输出关断隔离,如图3所示。此配置的切换时间为45 s。

  信号幅度增益(SAG) 校正用于对后部端接电缆的150 视频负载与输出耦合电容形成的高通滤波器进行低频补偿。传统交流耦合使用较大且昂贵的耦合电容,成本较高,而且会浪费宝贵的PCB空间。SAG校正允许用两个较小的低成本电容取代一个较大的交流耦合电容。图4显示了一个具有SAG校正功能的高性能2:1多路复用器。补偿网络包括C1、C2、R11和R12。场倾斜衡量施加一个恒定的亮度信号时,交流耦合电容上的电压降(倾斜)幅度。此电压降由75 负载电阻产生的小放电电流引起。所示电容值经过优化,可实现与220 F交流耦合电容相当的场倾斜。典型的220 F交流耦合钽电容占用28 mm2的面积,大批量采购成本为0.50美元/片。SAG校正所用的典型47 F和22 F电容分别占用约0.72 mm2和0.4 mm2的面积,大批量采购成本均低至0.10美元/片。

  具有独立禁用引脚的高速视频放大器非常适合构建复合高分辨率视频应用的简单、低成本视频多路复用器和开关。不仅是CMOS开关的理想替代器件,而且性价比高于视频多路复用器。如果您的系统需要视频切换功能,务必考虑使用高速视频放大器。

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  信息 74LVC540A是一款高性能,反相八通道缓冲器,工作电压为1.2V至3.6V。该器件在功能上与MC74LCX240类似,同时提供流通架构。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC540A输入。 74LVC540A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。输出端的电流驱动能力为24 mA。输出使能(OE1bar,OE2bar)输入,当为高电平时,通过将输出置于高电平状态来禁用输出。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证VCC = 0 V时的高阻抗

  24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 Latchup性能超过250 mA ESD性能:人体模型

  2000 V;机器型号

  信息 74LVC245A是一款高性能,非反相八通道收发器,工作电压为1.2V至5.5V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC245A输入。 74LVC245A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。 A和B端口的电流驱动能力均为24mA。发送/接收(T / Rbar)输入确定通过双向收发器的数据流的方向。发送(高电平有效)使能从A端口到B端口的数据;接收(低电平有效)使能从B到A端口的数据。输出使能输入,当为高电平时,通过将它们置于高电平状态来禁用A和B端口。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证V = 0 V 24 mA输出灌电流和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型

  2000 V;机器型号

  信息 74LVC126A是一款高性能,非反相四通道缓冲器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的VI规格允许从5.0 V器件安全驱动74LVC126A输入。 74LVC126A适用于存储器地址驱动和所有面向TTL电平总线的收发器应用。输出端的电流驱动能力为24 mA。输出使能(OEn)输入,当为高电平时,通过将输出置于高电平状态来禁用输出。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5.0 V容差 - 具有5.0 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和拔出 I 规范保证VCC = 0 V时的高阻抗 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA

  ESD性能:人体模型

  2000 V;机器型号

  信息 74LVC373A是一款高性能,非反相八通道透明锁存器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5 V的V 规格允许从5 V器件安全驱动74LVC373A输入。 74LVC373A包含8个D型锁存器,具有3态输出。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Dn输入上的数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的,即每次其D输入改变时锁存器输出将改变状态。当LE为低电平时,锁存器将存储在D输入端的信息存储在LE的高电平到低电平转换之前的建立时间。 3态标准输出由输出使能(OEbar)输入控制。当OEbar为LOW时,启用标准输出。当OEbar为高电平时,标准输出处于高阻态,但这不会干扰进入锁存器的新数据。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 支持实时插入和取出 I 规范保证高阻抗时V

  = 0 V 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求

  闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型

  2000 V;机器型号

  信息 74LVC374A是一款高性能,非反相八通道D型触发器,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 5.5V的V 规格允许从5V器件安全驱动74LVC374A输入。 74LVC374A由8个边沿触发触发器组成,具有独立的D型输入和3态真输出。缓冲时钟和缓冲输出使能(OEbar)对所有触发器都是通用的。八个触发器将存储各个D输入的状态,满足低至高时钟(CP)转换的建立和保持时间要求。 OEbar为低电平时,输出端提供8个触发器的内容。当OEbar为高电平时,输出进入高阻态。 OEbar输入电平不会影响触发器的操作。 设计用于1.2至3.6 VV 操作 5 V容差 - 接口能力为5 V TTL逻辑 支持实时插入和取出 I 当V = 0 V 时,规格保证高阻抗 24 mA输出接收器和电源能力 所有三种逻辑状态(10μA)的近零静态电源电流大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型

  2000 V;机器型号

  74LVC07 低压CMOS六路缓冲器,具有漏极开路输出和5V容差输入

  信息 74LVC07A是一款高性能十六进制缓冲器,采用1.2 V至5.5 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载。这些LVC器件具有开漏输出,可提供设置输出电平,或执行高电平有效和低电平有效功能。 AV规格为5.5 V,允许从5.0 V器件安全驱动74LVC07A输入。 设计用于1.2 V至5.5 VV 操作 5.0 V容差输入/输出 兼容LVTTL LVCMOS兼容 24 mA输出接收能力 接近零静态电源电流(10μA)显着降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA 有线或,有线和 输出电平可在外部设置,不会影响设备速度

  ESD性能:人体模型

  2000 V;机器型号

  74LVC06 低压CMOS六路反向器,具有漏极开路输出和5V容差I / O.

  信息 74LVC06A是一款高性能六角形逆变器,采用1.2 V至5.5 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载。这些LVC器件具有开漏输出,可提供设置输出电平,或执行高电平有效和低电平有效功能。 AV规格为5.5 V,允许从5.0 V器件安全驱动74LVC06A输入。 设计用于1.2 V至5.5 VV 操作 5.0 V容差输入/输出 32 mA输出吸收能力 近零静态电源电流(10μA)大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA

  有线连接,有线连接 可在不影响设备速度的情况下在外部设置输出电平 与LCX05功能兼容 ESD表现:人体模型

  2000 V;机器型号

  信息 74LVC00A是一款高性能,四路2输入与非门,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 AV规格5.5V允许74LVC00A输入从5V器件安全驱动。输出电流驱动能力为24mA。 设计用于1.2 V至3.6 VV 操作 5 V容差输入 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和电源能力 接近零静态电源电流(10μA) )大幅度降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型

  2000 V;机器型号

  信息 74LVC04A是一款高性能六角形逆变器,采用1.2至3.6 V电源供电。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。如果VCC小于5.0 V,则5.5 V的VI规格允许从5 V器件安全驱动74LVC04A输入。输出端的电流驱动能力为24mA。 设计用于1.2 V至3.6 VV 操作 5.0 V容差输入 - 具有5.0 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和源功能 接近零静态电源电流(10μA)大幅降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型

  2000 V;机器型号

  信息 74LVC02A是一款高性能,四路2输入NOR门,工作电压为1.2V至3.6V。高阻抗TTL兼容输入可显着降低输入驱动器的电流负载,而TTL兼容输出可提供更高的开关噪声性能。 AV规格5.5V允许74LVC02A输入从5V器件安全驱动。输出电流驱动能力为24mA。 设计为1.2 V至3.6 VV 操作 5 V容差输入 - 具有5 V TTL逻辑的接口功能 24 mA输出接收器和电源能力 接近零静态电源电流(10μA) )大幅度降低系统电源要求 闩锁性能超过250 mA ESD性能:人体模型

  2000 V;机器型号

  信息BF256B 该器件设计用于VHF/UHF放大器。 采用工艺50设计。

  信息BSR58N沟道低频低噪声放大器 该器件设计用于采用工艺51的低功率斩波器或开关应用

  信息BSR56N沟道低频低噪声放大器 该器件设计用于采用工艺51的低功率斩波器或开关应用

  信息优势和特点 低漂移:2.0 µV/°C (AD522B) 低非线) 高共模抑制比(CMRR):110dB (G = 1000) 低噪声:1.5 µV(峰峰值,0.1 Hz至100 Hz) 低初始VOS: 100µV (AD522B) 单电阻增益可编程:1≤G≤1000 输出基准电压与检测引脚 具有数据防护功能,可改善交流共模抑制 内部补偿 除增益电阻外,无需其它外部器件 失调、增益和共模抑制经过有源调整产品详情AD522是一款精密IC仪表放大器,针对要求在最差工作条件下提供高精度的数据采集应用而设计。高线性度、高共模抑制、低电压漂移与低噪声等特性的出色组合,使该器件适合用于许多12位数据采集系统中。在过程控制、仪器仪表、数据处理和医疗测试等应用中,通常采用仪表放大器作为电阻传感器(热敏电阻、应变计等)的电桥放大器。工作环境通常信噪比低、温度起伏不定、输入阻抗不平衡,并且处于远程位置不便重新校准。...

  CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留

  8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

  CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护

  - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

  AD558 电压输出8位数模转换器,集成输出放大器、完全微处理器接口和精密基准电压源

  信息优势和特点 完整8位DAC 电压输出:两种校准范围 内部精密带隙基准电压源 单电源供电:+5 V至+15 V 完全微处理器接口 快速建立时间:1 ±s内电压达到±1/2 LSB精度 低功耗:75 mW 无需用户调整 在工作温度范围内保证单调性 规定了 Tmin至Tmax的所有误差 16引脚DIP和20引脚PLCC小型封装 激光晶圆调整单芯片供混合使用产品详情AD558 DACPORT®是一款完整的电压输出8位数模转换器,它将输出放大器、完全微处理器接口以及精密基准电压源集成在单芯片上。无需外部元件或调整,就能以全精度将8位数据总线与模拟系统进行接口。这款DACPORT器件的性能和多功能特性体现了近期开发的多项单芯片双极性技术成果。完整微处理器接口与控制逻辑利用集成注入逻辑(I2 L)实现,集成注入逻辑是一种极高密度的低功耗逻辑结构,与线性双极性制造工艺兼容。内部精密基准电压源是一种取得专利的低压带隙电路,采用+5 V至+15 V单电源时可实现全精度性能。薄膜硅铬电阻提供在整个工作温度范围内保证单调性工作所需的稳定性(所有等级器件),对这些薄膜电阻运用最新激光晶圆调整技术则可实现出厂绝对校准,误差在±1 LSB以内,因此不需要用户进行增...

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